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APTGF165SK60D1G

APTGF165SK60D1G

참조 용

부품 번호 APTGF165SK60D1G
PNEDA 부품 번호 APTGF165SK60D1G
설명 IGBT 600V 230A 730W D1
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,412
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGF165SK60D1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGF165SK60D1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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APTGF165SK60D1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)230A
전력-최대730W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce9nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스D1
공급자 장치 패키지D1

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전류-수집기 (Ic) (최대)

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전력-최대

750W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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장착 유형

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

135A

전력-최대

560W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Y4-M5

공급자 장치 패키지

Y4-M5

FF45R12W1J1B11BPSA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

930A

전력-최대

4150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 650A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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