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APTGF50DH120T3G

APTGF50DH120T3G

참조 용

부품 번호 APTGF50DH120T3G
PNEDA 부품 번호 APTGF50DH120T3G
설명 MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
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APTGF50DH120T3G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGF50DH120T3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
APTGF50DH120T3G, APTGF50DH120T3G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 543.21 KB)
PDFAPTGF50DH120T3G 데이터 시트 표지
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  • APTGF50DH120T3G Distributor

APTGF50DH120T3G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전력-최대312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.45nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP3
공급자 장치 패키지SP3

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1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

280W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.77nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

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CM400DU-12H

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Powerex Inc.

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1130W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

35.2nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF330DA60D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

460A

전력-최대

1400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

18nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-3 Module

공급자 장치 패키지

D3

FZ600R17KE3S4HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1200A

전력-최대

3150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-20MT120UFP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

240W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.66V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.79nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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