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APTGF50VDA120T3G

APTGF50VDA120T3G

참조 용

부품 번호 APTGF50VDA120T3G
PNEDA 부품 번호 APTGF50VDA120T3G
설명 POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3
제조업체 Microsemi
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGF50VDA120T3G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGF50VDA120T3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
APTGF50VDA120T3G, APTGF50VDA120T3G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 541.6 KB)
PDFAPTGF50VDA120T3G 데이터 시트 표지
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APTGF50VDA120T3G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전력-최대312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.45nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP3
공급자 장치 패키지SP3

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7200A

전력-최대

21000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 3600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

295nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS75R12KT3BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

105A

전력-최대

355W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-100MT060WSP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

107A

전력-최대

403W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.49V @ 15V, 60A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9.5nF @ 30V

입력

Single Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

12-MTP Module

공급자 장치 패키지

MTP

IRG7U75HF12A

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

450W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

POWIR® 34

VS-GT100TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

160A

전력-최대

417W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.71nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

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