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APTGLQ200H65G

APTGLQ200H65G

참조 용

부품 번호 APTGLQ200H65G
PNEDA 부품 번호 APTGLQ200H65G
설명 POWER MODULE - IGBT
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,340
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 11 - 11월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGLQ200H65G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGLQ200H65G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • APTGLQ200H65G Distributor

APTGLQ200H65G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)270A
전력-최대680W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)75µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce12.2nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지SP6

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 70A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF200R12KE3B2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

295A

전력-최대

1050W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF150A60T3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

230A

전력-최대

833W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

BSM50GAL120DN2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전력-최대

400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APT75GP120JDQ3

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

128A

전력-최대

543W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1.25mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.04nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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