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APTGT100DH170G

APTGT100DH170G

참조 용

부품 번호 APTGT100DH170G
PNEDA 부품 번호 APTGT100DH170G
설명 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,430
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGT100DH170G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGT100DH170G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • APTGT100DH170G Distributor

APTGT100DH170G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)150A
전력-최대560W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce9nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP6
공급자 장치 패키지SP6

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1200A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

37nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF25A120T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

208W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

FP15R12YT3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전력-최대

110W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

DF450R17N2E4PB11BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IRG5U100HF12B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

180A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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