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APTGT30A170T1G

APTGT30A170T1G

참조 용

부품 번호 APTGT30A170T1G
PNEDA 부품 번호 APTGT30A170T1G
설명 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,174
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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APTGT30A170T1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGT30A170T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • APTGT30A170T1G Distributor

APTGT30A170T1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전력-최대210W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce2.5nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP1
공급자 장치 패키지SP1

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

208W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전력-최대

350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

MG17225WB-BN4MM

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

325A

전력-최대

1400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 225A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

WB

BSM15GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전력-최대

145W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GB75LA60UF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

109A

전력-최대

447W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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