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APTGT30H60T1G

APTGT30H60T1G

참조 용

부품 번호 APTGT30H60T1G
PNEDA 부품 번호 APTGT30H60T1G
설명 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,316
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 4 - 3월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGT30H60T1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGT30H60T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • APTGT30H60T1G Distributor

APTGT30H60T1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전력-최대90W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce1.6nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP1
공급자 장치 패키지SP1

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Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전력-최대

130W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

890pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

6MS30017E43W34404NOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

ModSTACK™ HD 3

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

4280A

전력-최대

32300W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-25°C ~ 55°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT50A60T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

176W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

FS15R12VT3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전력-최대

86W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GT140DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

652W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

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