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APTGT75A120T1G

APTGT75A120T1G

참조 용

부품 번호 APTGT75A120T1G
PNEDA 부품 번호 APTGT75A120T1G
설명 POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,102
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 11 - 3월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTGT75A120T1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGT75A120T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • APTGT75A120T1G Distributor

APTGT75A120T1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)110A
전력-최대357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce5.34nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP1
공급자 장치 패키지SP1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single Chopper

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

225A

전력-최대

780W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGL240TL120G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Level Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

305A

전력-최대

1000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

VII25-06P1

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24.5A

전력-최대

82W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

600µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ECO-PAC2

공급자 장치 패키지

ECO-PAC2

제조업체

IXYS

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

VS-CPV363M4UPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전력-최대

36W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 6.8A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

IMS-2

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