APTM08TDUM04PG
참조 용
| 부품 번호 | APTM08TDUM04PG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM08TDUM04PG |
| 설명 | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,902 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 13 - 4월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM08TDUM04PG 리소스
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APTM08TDUM04PG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 75V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 153nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4530pF @ 25V |
| 전력-최대 | 138W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP6 |
| 공급자 장치 패키지 | SP6-P |
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 AlphaMOS FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1325pF @ 12V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 8-DFN (3x3) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) FET 기능 Super Junction 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 36A Rds On (최대) @ Id, Vgs 83mOhm @ 24.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 250nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7200pF @ 25V 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 50nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1120pF @ 10V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
