APTM100A13DG
참조 용
| 부품 번호 | APTM100A13DG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM100A13DG |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,058 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM100A13DG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTM100A13DG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTM100A13DG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1000V (1kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 65A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 32.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 6mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 562nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 15200pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1250W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP6 |
| 공급자 장치 패키지 | SP6 |
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 320mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 10V 전력-최대 990mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
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