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APTM100TDU35PG

APTM100TDU35PG

참조 용

부품 번호 APTM100TDU35PG
PNEDA 부품 번호 APTM100TDU35PG
설명 MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
제조업체 Microsemi
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM100TDU35PG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM100TDU35PG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
APTM100TDU35PG, APTM100TDU35PG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 290.65 KB)
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APTM100TDU35PG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)1000V (1kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)22A
Rds On (최대) @ Id, Vgs420mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs186nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5200pF @ 25V
전력-최대390W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP6
공급자 장치 패키지SP6-P

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

SOT-383FL, EMH8

APTC90HM60T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

59A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 52A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

540nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 100V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

94-3449

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

690pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SQUN702E-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V, 200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc), 20A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC, 14nC, 30.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1474pF, 1450pF, 1302pF @ 20V, 100V

전력-최대

48W (Tc), 60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A, 3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

480pF @ 10V

전력-최대

1.74W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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