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APTM20HM20STG

APTM20HM20STG

참조 용

부품 번호 APTM20HM20STG
PNEDA 부품 번호 APTM20HM20STG
설명 MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,730
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM20HM20STG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM20HM20STG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • APTM20HM20STG Distributor

APTM20HM20STG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)89A
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 44.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs112nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6850pF @ 25V
전력-최대357W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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Rohm Semiconductor

시리즈

-

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

IRF9956PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

APTSM120TAM33CTPAG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

112A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 60A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

408nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7680pF @ 1000V

전력-최대

714W

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

NTJD2152PT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

775mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

225pF @ 8V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

SI4567DY-T1-E3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 4.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

355pF @ 20V

전력-최대

2.75W, 2.95W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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