APTM50AM19FG
참조 용
| 부품 번호 | APTM50AM19FG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM50AM19FG |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,362 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 24 - 4월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM50AM19FG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTM50AM19FG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTM50AM19FG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 163A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 81.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 10mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 492nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 22400pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1136W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP6 |
| 공급자 장치 패키지 | SP6 |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 1.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 800mA (Ta), 720mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2nC, 1.76nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 90pF, 110pF @ 10V 전력-최대 150mW (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 |
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