APTM50DHM35G
참조 용
| 부품 번호 | APTM50DHM35G |
| PNEDA 부품 번호 | APTM50DHM35G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,124 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 7 - 4월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM50DHM35G 리소스
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APTM50DHM35G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 99A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 49.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| 전력-최대 | 781W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP6 |
| 공급자 장치 패키지 | SP6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 330pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 31mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18.6nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 945pF @ 20V 전력-최대 1.42W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V, 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 28mOhm @ 5.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 455pF @ 6V 전력-최대 7.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능 Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 500Ohm @ 3.6V Vgs (th) (최대) @ Id 380mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 153mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 110pF @ 30V 전력-최대 2W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerUDFN 공급자 장치 패키지 HUML2020L8 |
