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APTM50UM25SG

APTM50UM25SG

참조 용

부품 번호 APTM50UM25SG
PNEDA 부품 번호 APTM50UM25SG
설명 MOSFET N-CH 500V 149A J3
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM50UM25SG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM50UM25SG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
APTM50UM25SG, APTM50UM25SG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 283.87 KB)
PDFAPTM50UM25SG 데이터 시트 표지
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APTM50UM25SG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)149A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs25mOhm @ 74.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs364nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds17500pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1250W (Tc)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지Module
패키지 / 케이스J3 Module

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제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.3mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9900pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

338W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

NTF5P03T3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.56W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

IRFR3709ZTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

86A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2330pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.44nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

230mW (Ta), 1.06W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

285pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

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