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AS4C128M16D2-25BCNTR

AS4C128M16D2-25BCNTR

참조 용

부품 번호 AS4C128M16D2-25BCNTR
PNEDA 부품 번호 AS4C128M16D2-25BCNTR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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AS4C128M16D2-25BCNTR 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C128M16D2-25BCNTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C128M16D2-25BCNTR, AS4C128M16D2-25BCNTR 데이터 시트 (총 페이지: 75, 크기: 2,527.23 KB)
PDFAS4C128M16D2-25BINTR 데이터 시트 표지
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AS4C128M16D2-25BCNTR 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스84-TFBGA
공급자 장치 패키지84-FBGA (10.5x13.5)

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메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

4Gb (256M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-TWBGA (9x13)

24LC08BHT-E/MS

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (256 x 8 x 4)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

IS49NLC18320A-33WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (32M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TBGA

공급자 장치 패키지

144-TWBGA (11x18.5)

W25Q64FWBYIG TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

SpiFlash®

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

16-UFBGA, WLCSP

공급자 장치 패키지

16-WLCSP (2.47x3.12)

M58WR064KT70D16

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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