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AS4C128M8D3LB-12BIN

AS4C128M8D3LB-12BIN

참조 용

부품 번호 AS4C128M8D3LB-12BIN
PNEDA 부품 번호 AS4C128M8D3LB-12BIN
설명 IC DRAM 1G PARALLEL 78FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 6,612
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C128M8D3LB-12BIN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C128M8D3LB-12BIN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C128M8D3LB-12BIN, AS4C128M8D3LB-12BIN 데이터 시트 (총 페이지: 85, 크기: 1,961.59 KB)
PDFAS4C128M8D3LB-12BINTR 데이터 시트 표지
AS4C128M8D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 2 AS4C128M8D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 3 AS4C128M8D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 4 AS4C128M8D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 5 AS4C128M8D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 6 AS4C128M8D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 7 AS4C128M8D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 8 AS4C128M8D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 9 AS4C128M8D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 10 AS4C128M8D3LB-12BINTR 데이터 시트 페이지 11

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  • AS4C128M8D3LB-12BIN Distributor

AS4C128M8D3LB-12BIN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-VFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (8x10.5)

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제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12µs, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MTFC32GJVED-3M WT

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

169-VFBGA

공급자 장치 패키지

169-VFBGA

MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

32Gb (512M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY7C1356C-166AXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

AT49LV040-12VC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs

접근 시간

120ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)

공급자 장치 패키지

32-VSOP

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