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AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

참조 용

부품 번호 AS4C16M16SA-7BCN
PNEDA 부품 번호 AS4C16M16SA-7BCN
설명 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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재고 있음 22,152
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C16M16SA-7BCN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C16M16SA-7BCN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C16M16SA-7BCN, AS4C16M16SA-7BCN 데이터 시트 (총 페이지: 55, 크기: 1,718.28 KB)
PDFAS4C16M16SA-7BCNTR 데이터 시트 표지
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AS4C16M16SA-7BCN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지14ns
접근 시간5.4ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TFBGA
공급자 장치 패키지54-TFBGA (8x8)

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

512Kb (32K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SOJ

CY7C1314BV18-250BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

IDT71V124SA12YI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOJ

24AA256-E/SM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIJ

25LC080A-H/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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