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AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

참조 용

부품 번호 AS4C16M32MD1-5BIN
PNEDA 부품 번호 AS4C16M32MD1-5BIN
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M32MD1-5BIN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C16M32MD1-5BIN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C16M32MD1-5BIN, AS4C16M32MD1-5BIN 데이터 시트 (총 페이지: 58, 크기: 2,054.52 KB)
PDFAS4C16M32MD1-5BIN 데이터 시트 표지
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  • AS4C16M32MD1-5BIN Distributor

AS4C16M32MD1-5BIN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스90-VFBGA
공급자 장치 패키지90-FBGA (8x13)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-T

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

110ns

전압-공급

1.65V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

40060204

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IS61QDPB41M36A1-400B4LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QUADP

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.4ns

전압-공급

1.71V ~ 1.89V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-TFBGA (13x15)

M48Z32V-35MT1F

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-BSOP (0.337", 8.56mm Width)

공급자 장치 패키지

44-SO

N25Q128A13ESE40F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (32M x 4)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

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