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AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

참조 용

부품 번호 AS4C16M32MS-6BIN
PNEDA 부품 번호 AS4C16M32MS-6BIN
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 4,392
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예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C16M32MS-6BIN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C16M32MS-6BIN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C16M32MS-6BIN, AS4C16M32MS-6BIN 데이터 시트 (총 페이지: 48, 크기: 3,858.46 KB)
PDFAS4C32M16MS-7BCNTR 데이터 시트 표지
AS4C32M16MS-7BCNTR 데이터 시트 페이지 2 AS4C32M16MS-7BCNTR 데이터 시트 페이지 3 AS4C32M16MS-7BCNTR 데이터 시트 페이지 4 AS4C32M16MS-7BCNTR 데이터 시트 페이지 5 AS4C32M16MS-7BCNTR 데이터 시트 페이지 6 AS4C32M16MS-7BCNTR 데이터 시트 페이지 7 AS4C32M16MS-7BCNTR 데이터 시트 페이지 8 AS4C32M16MS-7BCNTR 데이터 시트 페이지 9 AS4C32M16MS-7BCNTR 데이터 시트 페이지 10 AS4C32M16MS-7BCNTR 데이터 시트 페이지 11

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AS4C16M32MS-6BIN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile SDRAM
메모리 크기512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5.4ns
전압-공급1.7V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스90-VFBGA
공급자 장치 패키지90-FBGA (8x13)

관심을 가질만한 제품

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - UV

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-CDIP (0.685", 17.40mm) Window

공급자 장치 패키지

32-CDIP

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

4Gb (128M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1600MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

200-WFBGA

공급자 장치 패키지

200-WFBGA (10x14.5)

71T75602S150BGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

S25FL128SAGBHIS00

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (8x6)

MT29F128G08CBECBH6-12M:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

152-VBGA

공급자 장치 패키지

152-VBGA (14x18)

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