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AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

참조 용

부품 번호 AS4C1M16S-6TCN
PNEDA 부품 번호 AS4C1M16S-6TCN
설명 IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C1M16S-6TCN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C1M16S-6TCN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C1M16S-6TCN, AS4C1M16S-6TCN 데이터 시트 (총 페이지: 54, 크기: 923.41 KB)
PDFAS4C1M16S-6TINTR 데이터 시트 표지
AS4C1M16S-6TINTR 데이터 시트 페이지 2 AS4C1M16S-6TINTR 데이터 시트 페이지 3 AS4C1M16S-6TINTR 데이터 시트 페이지 4 AS4C1M16S-6TINTR 데이터 시트 페이지 5 AS4C1M16S-6TINTR 데이터 시트 페이지 6 AS4C1M16S-6TINTR 데이터 시트 페이지 7 AS4C1M16S-6TINTR 데이터 시트 페이지 8 AS4C1M16S-6TINTR 데이터 시트 페이지 9 AS4C1M16S-6TINTR 데이터 시트 페이지 10 AS4C1M16S-6TINTR 데이터 시트 페이지 11

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  • Datasheet AS4C1M16S-6TCN
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  • AS4C1M16S-6TCN Distributor

AS4C1M16S-6TCN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지2ns
접근 시간5.4ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스50-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지50-TSOP II

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메모리 크기

8Mb (1M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

90ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP

AT28C17E-20PI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

200µs

접근 시간

200ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-PDIP

IS42S16160B-7TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

CY7C1518JV18-312BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

312MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

AT27C256R-90PA

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

28-PDIP

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