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AS4C256M16D3LA-12BAN

AS4C256M16D3LA-12BAN

참조 용

부품 번호 AS4C256M16D3LA-12BAN
PNEDA 부품 번호 AS4C256M16D3LA-12BAN
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C256M16D3LA-12BAN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C256M16D3LA-12BAN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C256M16D3LA-12BAN, AS4C256M16D3LA-12BAN 데이터 시트 (총 페이지: 83, 크기: 2,573.91 KB)
PDFAS4C256M16D3LA-12BAN 데이터 시트 표지
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  • AS4C256M16D3LA-12BAN Distributor

AS4C256M16D3LA-12BAN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-VFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (9x13)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Microchip Technology

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

40MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3.5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.65V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-USON (2x3)

70V9369L9PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

288Kb (16K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

9ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

24AA64T-I/CS16K

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

5-UFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

5-CSP

709269S9PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

256Kb (16K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

9ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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