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AS4C256M8D3A-12BANTR

AS4C256M8D3A-12BANTR

참조 용

부품 번호 AS4C256M8D3A-12BANTR
PNEDA 부품 번호 AS4C256M8D3A-12BANTR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 78FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C256M8D3A-12BANTR 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C256M8D3A-12BANTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C256M8D3A-12BANTR, AS4C256M8D3A-12BANTR 데이터 시트 (총 페이지: 83, 크기: 2,564.96 KB)
PDFAS4C256M8D3A-12BAN 데이터 시트 표지
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  • AS4C256M8D3A-12BANTR Distributor

AS4C256M8D3A-12BANTR 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q100
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기2Gb (256M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도-40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-VFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (8x10.5)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

36Mb (4M x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

256Gb (32G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

152-TBGA

공급자 장치 패키지

152-TBGA (14x18)

MT29F1T208EGHBBG1-3R:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

1.125Tb (144G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

333MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

272-VFBGA

공급자 장치 패키지

272-VBGA (14x18)

S25FL116K0XBHIS23

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FL1-K

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

16Mb (2M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

108MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-BGA (8x6)

GD25D10CEIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

제조업체

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Dual I/O

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

50µs, 4ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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