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AS4C2M32S-6TIN

AS4C2M32S-6TIN

참조 용

부품 번호 AS4C2M32S-6TIN
PNEDA 부품 번호 AS4C2M32S-6TIN
설명 IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C2M32S-6TIN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C2M32S-6TIN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C2M32S-6TIN, AS4C2M32S-6TIN 데이터 시트 (총 페이지: 52, 크기: 1,288.95 KB)
PDFAS4C2M32S-6TCN 데이터 시트 표지
AS4C2M32S-6TCN 데이터 시트 페이지 2 AS4C2M32S-6TCN 데이터 시트 페이지 3 AS4C2M32S-6TCN 데이터 시트 페이지 4 AS4C2M32S-6TCN 데이터 시트 페이지 5 AS4C2M32S-6TCN 데이터 시트 페이지 6 AS4C2M32S-6TCN 데이터 시트 페이지 7 AS4C2M32S-6TCN 데이터 시트 페이지 8 AS4C2M32S-6TCN 데이터 시트 페이지 9 AS4C2M32S-6TCN 데이터 시트 페이지 10 AS4C2M32S-6TCN 데이터 시트 페이지 11

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  • AS4C2M32S-6TIN Distributor

AS4C2M32S-6TIN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기64Mb (2M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지2ns
접근 시간5.5ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지86-TSOP II

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-VFBGA (6x9)

MT29F128G08CBCEBL05B3WC1ES

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY7C2565XV18-633BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II+

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

633MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

SST39VF800A-70-4C-B3KE

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA (6x8)

AT27C010L-90PC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EPROM

기술

EPROM - OTP

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PDIP

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