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AS4C32M16SB-7TIN

AS4C32M16SB-7TIN

참조 용

부품 번호 AS4C32M16SB-7TIN
PNEDA 부품 번호 AS4C32M16SB-7TIN
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
제조업체 Alliance Memory, Inc.
단가 견적 요청
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AS4C32M16SB-7TIN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C32M16SB-7TIN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C32M16SB-7TIN, AS4C32M16SB-7TIN 데이터 시트 (총 페이지: 55, 크기: 1,267.1 KB)
PDFAS4C32M16SB-6TINTR 데이터 시트 표지
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  • AS4C32M16SB-7TIN Distributor

AS4C32M16SB-7TIN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지14ns
접근 시간5.4ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지54-TSOP II

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

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시계 주파수

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쓰기주기 시간-단어, 페이지

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 크기

128Kb (8K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

2.2V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

7130SA55J8/C

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

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MT48LC32M4A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (32M x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

14ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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