AS4C8M16SA-6BANTR
참조 용
| 부품 번호 | AS4C8M16SA-6BANTR |
| PNEDA 부품 번호 | AS4C8M16SA-6BANTR |
| 설명 | IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA |
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,820 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 1 - 5월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AS4C8M16SA-6BANTR 리소스
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AS4C8M16SA-6BANTR 사양
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q100 |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM |
| 메모리 크기 | 128Mb (8M x 16) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 166MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 12ns |
| 접근 시간 | 5ns |
| 전압-공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 54-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 54-TFBGA (8x8) |
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 * 메모리 유형 - 메모리 포맷 - 기술 - 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EPROM 기술 EPROM - OTP 메모리 크기 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 150ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지 28-PDIP |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM 메모리 크기 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 7ns 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 50-TSOP II |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, SDR 메모리 크기 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 3.1ns 전압-공급 3.135V ~ 3.465V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x20) |
