AS4C8M16SA-6BINTR
참조 용
| 부품 번호 | AS4C8M16SA-6BINTR |
| PNEDA 부품 번호 | AS4C8M16SA-6BINTR |
| 설명 | IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA |
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,838 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AS4C8M16SA-6BINTR 리소스
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AS4C8M16SA-6BINTR 사양
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM |
| 메모리 크기 | 128Mb (8M x 16) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 166MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 12ns |
| 접근 시간 | 5ns |
| 전압-공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 54-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 54-TFBGA (8x8) |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 2MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 - 전압-공급 2.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
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