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AS4C8M16SA-7BCN

AS4C8M16SA-7BCN

참조 용

부품 번호 AS4C8M16SA-7BCN
PNEDA 부품 번호 AS4C8M16SA-7BCN
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 15,216
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C8M16SA-7BCN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C8M16SA-7BCN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C8M16SA-7BCN, AS4C8M16SA-7BCN 데이터 시트 (총 페이지: 54, 크기: 1,189.41 KB)
PDFAS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 표지
AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 2 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 3 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 4 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 5 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 6 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 7 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 8 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 9 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 10 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 11

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  • Datasheet AS4C8M16SA-7BCN
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  • AS4C8M16SA-7BCN Distributor

AS4C8M16SA-7BCN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지14ns
접근 시간5.4ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TFBGA
공급자 장치 패키지54-TFBGA (8x8)

관심을 가질만한 제품

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

71V3557S80PFGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

IS61WV102416ALL-20TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.65V ~ 2.2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

공급자 장치 패키지

48-TSOP I

71V35761SA166BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

7143LA25PFI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

32Kb (2K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

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