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AS4C8M16SA-7TCN

AS4C8M16SA-7TCN

참조 용

부품 번호 AS4C8M16SA-7TCN
PNEDA 부품 번호 AS4C8M16SA-7TCN
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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재고 있음 79,464
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C8M16SA-7TCN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C8M16SA-7TCN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C8M16SA-7TCN, AS4C8M16SA-7TCN 데이터 시트 (총 페이지: 54, 크기: 1,189.41 KB)
PDFAS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 표지
AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 2 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 3 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 4 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 5 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 6 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 7 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 8 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 9 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 10 AS4C8M16SA-6BINTR 데이터 시트 페이지 11

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  • AS4C8M16SA-7TCN Distributor

AS4C8M16SA-7TCN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기128Mb (8M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지14ns
접근 시간5.4ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지54-TSOP II

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Micron Technology Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

FLASH

기술

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메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

96ns

접근 시간

96ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

200µs

접근 시간

150ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (13.97x11.43)

MT53D512M64D8HR-053 WT:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

32Gb (512M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

366-WFBGA

공급자 장치 패키지

366-WFBGA (12x12.7)

S29GL01GT10TFI010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-T

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

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56-TSOP

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