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AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

참조 용

부품 번호 AS4C8M32MSA-6BINTR
PNEDA 부품 번호 AS4C8M32MSA-6BINTR
설명 IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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재고 있음 6,948
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C8M32MSA-6BINTR 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C8M32MSA-6BINTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C8M32MSA-6BINTR, AS4C8M32MSA-6BINTR 데이터 시트 (총 페이지: 47, 크기: 1,804.26 KB)
PDFAS4C8M32MSA-6BINTR 데이터 시트 표지
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  • AS4C8M32MSA-6BINTR Distributor

AS4C8M32MSA-6BINTR 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile
메모리 크기256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간5.5ns
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스90-VFBGA
공급자 장치 패키지90-FBGA (8x13)

관심을 가질만한 제품

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Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

7µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DS1330BL-70IND

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.75V ~ 5.25V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

34-LPM

공급자 장치 패키지

34-LPM

IS61LV256AL-10JLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOJ

S29GL01GT10DHI010

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-T

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (9x9)

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