AS4C8M32SA-6BIN
참조 용
| 부품 번호 | AS4C8M32SA-6BIN |
| PNEDA 부품 번호 | AS4C8M32SA-6BIN |
| 설명 | IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA |
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,210 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AS4C8M32SA-6BIN 리소스
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AS4C8M32SA-6BIN 사양
| 제조업체 | Alliance Memory, Inc. |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM |
| 메모리 크기 | 256Mb (8M x 32) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 166MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 2ns |
| 접근 시간 | 5ns |
| 전압-공급 | 3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 90-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 90-TFBGA (8x13) |
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제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 5ns 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 60-TFBGA 공급자 장치 패키지 60-TWBGA (8x10) |
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