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AS4PKHM3_A/I

AS4PKHM3_A/I

참조 용

부품 번호 AS4PKHM3_A/I
PNEDA 부품 번호 AS4PKHM3_A-I
설명 DIODE AVALANCHE 800V 2.4A TO277A
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 6,048
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4PKHM3_A/I 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4PKHM3_A/I
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
AS4PKHM3_A/I, AS4PKHM3_A/I 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 93.51 KB)
PDFAS4PMHM3/87A 데이터 시트 표지
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  • AS4PKHM3_A/I Distributor

AS4PKHM3_A/I 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101, eSMP®
다이오드 유형Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)2.4A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 4A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)1.8µs
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F60pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-277, 3-PowerDFN
공급자 장치 패키지TO-277A (SMPC)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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WeEn Semiconductors

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.28V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1.5V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-

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제조업체

Powerex Inc.

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

300A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.75V @ 800A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

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제조업체

Power Integrations

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.94V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

34ns

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220 Full Pack

작동 온도-접합

150°C (Max)

HS1GL RTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SR510HR0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

850mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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