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AS6C3216-55BIN

AS6C3216-55BIN

참조 용

부품 번호 AS6C3216-55BIN
PNEDA 부품 번호 AS6C3216-55BIN
설명 IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS6C3216-55BIN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS6C3216-55BIN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS6C3216-55BIN, AS6C3216-55BIN 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,056.79 KB)
PDFAS6C3216-55BIN 데이터 시트 표지
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AS6C3216-55BIN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기32Mb (2M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지55ns
접근 시간55ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-LFBGA
공급자 장치 패키지48-TFBGA (8x10)

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메모리 크기

32Gb (4G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-WFBGA

공급자 장치 패키지

153-WFBGA (11.5x13)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

R1LP5256ESP-5SR#B0

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOP

S30ML256P30TFI003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

Swissbit

시리즈

EM-10

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND (MLC)

메모리 크기

16GB

메모리 인터페이스

eMMC

시계 주파수

52MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

153-VFBGA

공급자 장치 패키지

153-BGA (11.5x13)

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