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AS6C6264A-70SCNTR

AS6C6264A-70SCNTR

참조 용

부품 번호 AS6C6264A-70SCNTR
PNEDA 부품 번호 AS6C6264A-70SCNTR
설명 IC SRAM 64K PARALLEL 28SOP
제조업체 Alliance Memory, Inc.
단가 견적 요청
재고 있음 5,004
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS6C6264A-70SCNTR 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS6C6264A-70SCNTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS6C6264A-70SCNTR, AS6C6264A-70SCNTR 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 880.3 KB)
PDFAS6C6264A-70PIN 데이터 시트 표지
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  • AS6C6264A-70SCNTR Distributor

AS6C6264A-70SCNTR 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지70ns
접근 시간70ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-SOIC (0.330", 8.38mm Width)
공급자 장치 패키지28-SOP

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT46H16M16LFBF-6 IT:H TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

5.0ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-VFBGA

공급자 장치 패키지

60-VFBGA (8x9)

IDT71V3557SA80BGG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

EDFP112A3PB-GD-F-D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

24Gb (192M x 128)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT42L64M32D1LF-18 IT:C TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

2Gb (64M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.3V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

168-TFBGA

공급자 장치 패키지

168-FBGA (12x12)

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