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AS6C8016-55BIN

AS6C8016-55BIN

참조 용

부품 번호 AS6C8016-55BIN
PNEDA 부품 번호 AS6C8016-55BIN
설명 IC SRAM 8M PARALLEL 48TFBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS6C8016-55BIN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS6C8016-55BIN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS6C8016-55BIN, AS6C8016-55BIN 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 736.6 KB)
PDFAS6C8016-55ZINTR 데이터 시트 표지
AS6C8016-55ZINTR 데이터 시트 페이지 2 AS6C8016-55ZINTR 데이터 시트 페이지 3 AS6C8016-55ZINTR 데이터 시트 페이지 4 AS6C8016-55ZINTR 데이터 시트 페이지 5 AS6C8016-55ZINTR 데이터 시트 페이지 6 AS6C8016-55ZINTR 데이터 시트 페이지 7 AS6C8016-55ZINTR 데이터 시트 페이지 8 AS6C8016-55ZINTR 데이터 시트 페이지 9 AS6C8016-55ZINTR 데이터 시트 페이지 10 AS6C8016-55ZINTR 데이터 시트 페이지 11

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  • AS6C8016-55BIN Distributor

AS6C8016-55BIN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지55ns
접근 시간55ns
전압-공급2.7V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-LFBGA
공급자 장치 패키지48-TFBGA (6x8)

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

메모리 크기

4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.8V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

162-VFBGA

공급자 장치 패키지

162-VFBGA (11.5x13)

NM24C03M8

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

100kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

3.5µs

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CYD09S36V18-200BBXI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.3ns

전압-공급

1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

256-LBGA

공급자 장치 패키지

256-FBGA (17x17)

AT25080B-TH-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

IS25LP128-JKLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O, QPI

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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