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AS7C1026B-12JCNTR

AS7C1026B-12JCNTR

참조 용

부품 번호 AS7C1026B-12JCNTR
PNEDA 부품 번호 AS7C1026B-12JCNTR
설명 IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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AS7C1026B-12JCNTR 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS7C1026B-12JCNTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS7C1026B-12JCNTR, AS7C1026B-12JCNTR 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 122.71 KB)
PDFAS7C1026B-20JCN 데이터 시트 표지
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AS7C1026B-12JCNTR 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM - Asynchronous
메모리 크기1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지12ns
접근 시간12ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지44-SOJ

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Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-TFBGA (8x13)

S34MS02G100BHV003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MS-1

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-BGA (11x9)

AT49BV3218T-11CI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

32Mb (4M x 8, 2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

110ns

전압-공급

2.65V ~ 3.3V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

48-CBGA (6x8)

AT24C02C-XHM-B

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

550ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

71V65803S150BQ

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (512K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-TBGA

공급자 장치 패키지

165-CABGA (13x15)

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