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AT-41535G

AT-41535G

참조 용

부품 번호 AT-41535G
PNEDA 부품 번호 AT-41535G
설명 RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X
제조업체 Broadcom
단가 견적 요청
재고 있음 5,148
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT-41535G 리소스

브랜드 Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT-41535G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
AT-41535G, AT-41535G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 133.35 KB)
PDFAT-41535G 데이터 시트 표지
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AT-41535G 사양

제조업체Broadcom Limited
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
이득10dB ~ 18dB
전력-최대500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대)60mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-SMD (35 micro-X)
공급자 장치 패키지35 micro-X

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

20V

주파수-전환

600MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

이득

-

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250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

AT-31011-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

이득

11dB ~ 13dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143

AT-31033-TR1G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.5V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

이득

9dB ~ 11dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB @ 1GHz

이득

12dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

2SC5085-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

이득

-

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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