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AT24C256W-10SI-2.7-T

AT24C256W-10SI-2.7-T

참조 용

부품 번호 AT24C256W-10SI-2.7-T
PNEDA 부품 번호 AT24C256W-10SI-2-7-T
설명 IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8SOIC
제조업체 Microchip Technology
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AT24C256W-10SI-2.7-T 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT24C256W-10SI-2.7-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT24C256W-10SI-2.7-T, AT24C256W-10SI-2.7-T 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 328.02 KB)
PDFAT24C256W-10SI-2.7-T 데이터 시트 표지
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AT24C256W-10SI-2.7-T 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ms
접근 시간550ns
전압-공급2.7V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (16M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

1.28V ~ 1.42V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

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메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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54-TSOP II

93C66C/W15K

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8, 256 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

EM6GC08EWUG-10IH

Etron Technology, Inc.

제조업체

Etron Technology, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

933MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

64Mb (4M x 16)

메모리 인터페이스

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시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

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