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AT25080AY1-10YI-2.7

AT25080AY1-10YI-2.7

참조 용

부품 번호 AT25080AY1-10YI-2.7
PNEDA 부품 번호 AT25080AY1-10YI-2-7
설명 IC EEPROM 8K SPI 20MHZ 8MAP
제조업체 Microchip Technology
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AT25080AY1-10YI-2.7 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT25080AY1-10YI-2.7
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT25080AY1-10YI-2.7, AT25080AY1-10YI-2.7 데이터 시트 (총 페이지: 23, 크기: 279.55 KB)
PDFAT25640AN-10SI-2.7-T 데이터 시트 표지
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AT25080AY1-10YI-2.7 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기8Kb (1K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-MAP (3x4.9)

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메모리 유형

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기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

400ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

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메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

MT42L128M64D4LD-25 IT:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

8Gb (128M x 64)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.3V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

220-VFBGA

공급자 장치 패키지

220-FBGA (14x14)

MT41J64M16JT-15E IT:G TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

96-FBGA (8x14)

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

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메모리 유형

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메모리 포맷

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

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장착 유형

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