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AT25320T2-10TC-2.7

AT25320T2-10TC-2.7

참조 용

부품 번호 AT25320T2-10TC-2.7
PNEDA 부품 번호 AT25320T2-10TC-2-7
설명 IC EEPROM 32K SPI 3MHZ 20TSSOP
제조업체 Microchip Technology
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AT25320T2-10TC-2.7 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT25320T2-10TC-2.7
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT25320T2-10TC-2.7, AT25320T2-10TC-2.7 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 279.96 KB)
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AT25320T2-10TC-2.7 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기32Kb (4K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수3MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지20-TSSOP

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8, 1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT29F4G08ABBDAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (512M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

63-VFBGA

공급자 장치 패키지

63-VFBGA (9x11)

DS1220AD-200IND

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

200ns

접근 시간

200ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

24-EDIP

AT45DB641E-MHN2B-T

Adesto Technologies

제조업체

Adesto Technologies

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

64Mb (256 Bytes x 32K pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

85MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

8µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-UDFN (5x6)

CY7C1513JV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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