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AT25DF041B-SSHN-T

AT25DF041B-SSHN-T

참조 용

부품 번호 AT25DF041B-SSHN-T
PNEDA 부품 번호 AT25DF041B-SSHN-T
설명 IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
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AT25DF041B-SSHN-T 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT25DF041B-SSHN-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT25DF041B-SSHN-T, AT25DF041B-SSHN-T 데이터 시트 (총 페이지: 52, 크기: 3,099.97 KB)
PDFAT25DF041B-MHN-Y 데이터 시트 표지
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AT25DF041B-SSHN-T 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수104MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8µs, 2.5ms
접근 시간-
전압-공급1.65V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Micron Technology Inc.

시리즈

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FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

FLASH - NOR

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

50MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-LFBGA (11x13)

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, Mobile LPDRAM

메모리 크기

1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

137-TFBGA (10.5x13)

SM662GXE-BD

Silicon Motion, Inc.

제조업체

Silicon Motion, Inc.

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

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메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

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작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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