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AT27BV1024-12VC

AT27BV1024-12VC

참조 용

부품 번호 AT27BV1024-12VC
PNEDA 부품 번호 AT27BV1024-12VC
설명 IC EPROM 1M PARALLEL 40VSOP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 4,410
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예상 배송 2월 3 - 2월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT27BV1024-12VC 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT27BV1024-12VC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT27BV1024-12VC, AT27BV1024-12VC 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 221.44 KB)
PDFAT27BV1024-12JU 데이터 시트 표지
AT27BV1024-12JU 데이터 시트 페이지 2 AT27BV1024-12JU 데이터 시트 페이지 3 AT27BV1024-12JU 데이터 시트 페이지 4 AT27BV1024-12JU 데이터 시트 페이지 5 AT27BV1024-12JU 데이터 시트 페이지 6 AT27BV1024-12JU 데이터 시트 페이지 7 AT27BV1024-12JU 데이터 시트 페이지 8 AT27BV1024-12JU 데이터 시트 페이지 9 AT27BV1024-12JU 데이터 시트 페이지 10 AT27BV1024-12JU 데이터 시트 페이지 11

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AT27BV1024-12VC 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간120ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스40-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
공급자 장치 패키지40-VSOP

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-SOIC (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

32-TSOP II

CY7C09369V-9AXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

288Kb (16K x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

67MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

9ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

BR25G128FJ-3GE2

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP-J

CG8328AM

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CY7C1470BV33-167BZCT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.4ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

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