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AT27C512R-70JC

AT27C512R-70JC

참조 용

부품 번호 AT27C512R-70JC
PNEDA 부품 번호 AT27C512R-70JC
설명 IC EPROM 512K PARALLEL 32PLCC
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 483
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예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT27C512R-70JC 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT27C512R-70JC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT27C512R-70JC, AT27C512R-70JC 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 169.24 KB)
PDFAT27C512R-90RA 데이터 시트 표지
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AT27C512R-70JC 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간70ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지32-PLCC (13.97x11.43)

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시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1.125Mb (32K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

4.2ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

256-LBGA

공급자 장치 패키지

256-CABGA (17x17)

93AA86B-I/P

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (1K x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

3MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

M58LR256KB70ZC5F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

66MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

79-VFBGA

공급자 장치 패키지

79-VFBGA (9x11)

7006L20J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

68-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

68-PLCC (24.21x24.21)

70V659S10BF

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3.15V ~ 3.45V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

208-CABGA (15x15)

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