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AT27LV256A-15JI

AT27LV256A-15JI

참조 용

부품 번호 AT27LV256A-15JI
PNEDA 부품 번호 AT27LV256A-15JI
설명 IC EPROM 256K PARALLEL 32PLCC
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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예상 배송 1월 22 - 1월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT27LV256A-15JI 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT27LV256A-15JI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT27LV256A-15JI, AT27LV256A-15JI 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 284.84 KB)
PDFAT27LV256A-90TI 데이터 시트 표지
AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 2 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 3 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 4 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 5 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 6 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 7 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 8 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 9 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 10 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 11

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AT27LV256A-15JI 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간150ns
전압-공급3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지32-PLCC (13.97x11.43)

관심을 가질만한 제품

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (2x3)

CY62148EV30LL-45BVXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

45ns

접근 시간

45ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

36-VFBGA

공급자 장치 패키지

36-VFBGA (6x8)

MTFC4GLWDM-4M AAT Z

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

W948D2FBJX5I TR

Winbond Electronics

제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-VFBGA (8x13)

IS42S83200D-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (32M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

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