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AT28LV64B-25JC

AT28LV64B-25JC

참조 용

부품 번호 AT28LV64B-25JC
PNEDA 부품 번호 AT28LV64B-25JC
설명 IC EEPROM 64K PARALLEL 32PLCC
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
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AT28LV64B-25JC 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT28LV64B-25JC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT28LV64B-25JC, AT28LV64B-25JC 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 183.11 KB)
PDFAT28LV64B-25TI 데이터 시트 표지
AT28LV64B-25TI 데이터 시트 페이지 2 AT28LV64B-25TI 데이터 시트 페이지 3 AT28LV64B-25TI 데이터 시트 페이지 4 AT28LV64B-25TI 데이터 시트 페이지 5 AT28LV64B-25TI 데이터 시트 페이지 6 AT28LV64B-25TI 데이터 시트 페이지 7 AT28LV64B-25TI 데이터 시트 페이지 8 AT28LV64B-25TI 데이터 시트 페이지 9 AT28LV64B-25TI 데이터 시트 페이지 10 AT28LV64B-25TI 데이터 시트 페이지 11

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AT28LV64B-25JC 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ms
접근 시간250ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지32-PLCC (13.97x11.43)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

60ns

접근 시간

90ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

DS1245Y-120+

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

120ns

접근 시간

120ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP Module (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-EDIP

71V3577S85BGG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

87MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

119-PBGA (14x22)

CY7C1565KV18-450BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II+

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

450MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

MT29F128G08AMAAAC5-IT:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

128Gb (16G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-VLGA

공급자 장치 패키지

52-VLGA (18x14)

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