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AT29BV010A-25JC

AT29BV010A-25JC

참조 용

부품 번호 AT29BV010A-25JC
PNEDA 부품 번호 AT29BV010A-25JC
설명 IC FLASH 1M PARALLEL 32PLCC
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT29BV010A-25JC 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT29BV010A-25JC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT29BV010A-25JC, AT29BV010A-25JC 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 219.22 KB)
PDFAT29BV010A-15TI 데이터 시트 표지
AT29BV010A-15TI 데이터 시트 페이지 2 AT29BV010A-15TI 데이터 시트 페이지 3 AT29BV010A-15TI 데이터 시트 페이지 4 AT29BV010A-15TI 데이터 시트 페이지 5 AT29BV010A-15TI 데이터 시트 페이지 6 AT29BV010A-15TI 데이터 시트 페이지 7 AT29BV010A-15TI 데이터 시트 페이지 8 AT29BV010A-15TI 데이터 시트 페이지 9 AT29BV010A-15TI 데이터 시트 페이지 10 AT29BV010A-15TI 데이터 시트 페이지 11

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AT29BV010A-25JC 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지20ms
접근 시간250ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지32-PLCC (13.97x11.43)

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Cypress Semiconductor Corp

시리즈

*

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

7015S35J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

72Kb (8K x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

68-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

68-PLCC (24.21x24.21)

IDT71V67703S80PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

7140SA35J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

52-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

52-PLCC (19.13x19.13)

R1LV0816ASB-7SI#S0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

2.4V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

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