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AT29C020-90PC

AT29C020-90PC

참조 용

부품 번호 AT29C020-90PC
PNEDA 부품 번호 AT29C020-90PC
설명 IC FLASH 2M PARALLEL 32DIP
제조업체 Microchip Technology
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AT29C020-90PC 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT29C020-90PC
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT29C020-90PC, AT29C020-90PC 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 244.41 KB)
PDFAT29C020-70TI 데이터 시트 표지
AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 2 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 3 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 4 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 5 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 6 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 7 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 8 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 9 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 10 AT29C020-70TI 데이터 시트 페이지 11

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AT29C020-90PC 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ms
접근 시간90ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TC)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스32-DIP (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지32-PDIP

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메모리 유형

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메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

2Gb (128M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-TWBGA (9x13)

MT46V64M8BN-75 IT:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (64M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

750ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-TFBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (10x12.5)

CY7C1386C-167AC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.4ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

CY7C1512KV18-300BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

MT46V128M4BN-75:D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (128M x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

750ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

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