AT34C02BY6-10YH-1.7
참조 용
| 부품 번호 | AT34C02BY6-10YH-1.7 |
| PNEDA 부품 번호 | AT34C02BY6-10YH-1-7 |
| 설명 | IC EEPROM 2K I2C 8MINI MAP |
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,244 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AT34C02BY6-10YH-1.7 리소스
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AT34C02BY6-10YH-1.7 사양
| 제조업체 | Microchip Technology |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | EEPROM |
| 기술 | EEPROM |
| 메모리 크기 | 2Kb (256 x 8) |
| 메모리 인터페이스 | I²C |
| 시계 주파수 | 400kHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 5ms |
| 접근 시간 | 900ns |
| 전압-공급 | 1.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-UFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-Mini Map (2x3) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 * 메모리 유형 - 메모리 포맷 - 기술 - 메모리 크기 - 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 2Gb (256M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 130-VFBGA 공급자 장치 패키지 130-VFBGA (8x9) |
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 15ns 전압-공급 3V ~ 3.6V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 44-TSOP II |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile 메모리 크기 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 6ns 전압-공급 2.3V ~ 3V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 90-TFBGA 공급자 장치 패키지 90-TFBGA (8x13) |
