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AT45DB081E-MHN-Y

AT45DB081E-MHN-Y

참조 용

부품 번호 AT45DB081E-MHN-Y
PNEDA 부품 번호 AT45DB081E-MHN-Y
설명 IC FLASH 8M SPI 85MHZ 8UDFN
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
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예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT45DB081E-MHN-Y 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT45DB081E-MHN-Y
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT45DB081E-MHN-Y, AT45DB081E-MHN-Y 데이터 시트 (총 페이지: 70, 크기: 2,568.76 KB)
PDFAT45DB081E-UUN2B-T 데이터 시트 표지
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AT45DB081E-MHN-Y 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기8Mb (264 Bytes x 4096 pages)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수85MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8µs, 4ms
접근 시간-
전압-공급1.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-UDFN (5x6)

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Volatile

메모리 포맷

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기술

SDRAM

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

54-TFBGA (8x13)

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

4Gb (4G x 1)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA

공급자 장치 패키지

24-T-PBGA (6x8)

MT29GZ5A5BPGGA-53ITES.87J TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR4

메모리 크기

4Gb (512M x 8)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.8V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

149-WFBGA

공급자 장치 패키지

149-WFBGA (8x9.5)

IS61LV12816L-10BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

2Mb (128K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-miniBGA (6x8)

IS61VF102418A-7.5B3

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

18Mb (1M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

117MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

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장착 유형

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