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AT45DB161D-CU

AT45DB161D-CU

참조 용

부품 번호 AT45DB161D-CU
PNEDA 부품 번호 AT45DB161D-CU_CA
설명 IC FLASH 16M SPI 66MHZ 24CBGA
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,582
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT45DB161D-CU 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT45DB161D-CU
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT45DB161D-CU, AT45DB161D-CU 데이터 시트 (총 페이지: 52, 크기: 1,751.52 KB)
PDFAT45DB161D-SU-2.5 데이터 시트 표지
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AT45DB161D-CU 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수66MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지6ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스24-LBGA, CSPBGA
공급자 장치 패키지24-CBGA (6x8)

관심을 가질만한 제품

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IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

100MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

24LC024HT-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

400ns

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IS46TR16640AL-125JBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-TWBGA (9x13)

DS28EC20+

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

20Kb (256 x 80)

메모리 인터페이스

1-Wire®

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MT53E256M32D2DS-053 WT:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

8Gb (256M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1.866GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

0.6V, 1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

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